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SI5935DC-T1-E3 |
8-SMD，扁平引线 | Vishay Siliconix | 168 | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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SI5935DC-T1-E3参数 产品类别：分离式半导体产品-FET - 阵列 说明：MOSFET DUAL P-CH 20V 3A 1206-8 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss)：20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：86 毫欧 @ 3A，4.5V Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：8.5nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds：- 功率 - 最大：1.1W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 配件R88A-CAKF040BR D形，CentroM7QXK-1410R 圆形KPT06A14-18SY 芯片电阻 - 表面RL3264R-R820-F 同轴，RF255104-08-24.00 圆形CA3100F28-11SYB 嵌入式 - FPGEP2AGX125EF29C5 Card EdgeEMA30DRST-S664 固定式LQG15HN47NJ02D 陶瓷电容器06035U120JAT2A |
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